氯化氫

    氯化氫氣體為強刺激性，不燃氣體，溶水后有強烈腐蝕性。產(chǎn)品包裝于高壓專用鋼瓶中，處于液態(tài)。專用鋼瓶為鋼質(zhì)無縫氣瓶，瓶內(nèi)拋光處理。瓶閥為抗腐蝕不銹鋼隔膜閥。鋼瓶設計壓力為12.5Mpa,工作壓力約5-6Mpa。
    氯化氫氧化平衡的計算和分析,提出將反應-脫水耦合技術(shù)應用于氯化氫氧化過程中,研究了反應-脫水耦合的模擬工藝.結(jié)果表明,在氯化氫連續(xù)氧化的過程中,增加脫水過程能有效提高氯化氫的反應轉(zhuǎn)化率.考察了在氧氣不過量情況下的多步脫水循環(huán)過程,結(jié)果顯示提高二次氧化反應的溫度可明顯提高氯化氫的轉(zhuǎn)化率,在HCl/O2摩爾比為8:1的條件下經(jīng)過多步脫水循環(huán)反應,氯化氫的總轉(zhuǎn)化率可以達到49.3%,反應混合氣中氧氣的體積含量低于0.2%.該混合氣可直接用于有機氯化過程.
    化學級氯化氫產(chǎn)品生產(chǎn)裝置于1993年投產(chǎn)，經(jīng)山東省科委鑒定，主要用于醫(yī)藥中間體、農(nóng)藥及精細化學品制造業(yè)。電子級(VLSI)氯化氫產(chǎn)品生產(chǎn)裝置于2003年投產(chǎn)，經(jīng)北京市科委鑒定，主要用于半導體器件生產(chǎn)中單晶硅片的氣相拋光、外延基座腐蝕及硬質(zhì)合金制造。5.0N電子級(VLSI)氯化氫產(chǎn)品分別經(jīng)國家標準物質(zhì)研究中心和信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心抽樣檢驗，純度大于99.999%，總雜質(zhì)含量小于5ppm，產(chǎn)品性能指標與國 際品牌相當。5.0N電子級(VLSI)氯化氫產(chǎn)品經(jīng)國內(nèi)外多家半導體重點企業(yè)連續(xù)大量在單晶硅片氣相拋光和外延基座腐蝕工藝中廣泛使用，制得的器件產(chǎn)品質(zhì)量與國際知名品牌相當。超純氯化氫產(chǎn)品生產(chǎn)裝置于2005年投產(chǎn)，目前處于試銷階段，主要用作標準物質(zhì)和科學研究。